نیروی مغناطیسی چیست ؟ — به زبان ساده و با مثال – فرادرس
در این مطلب در مورد نیروی مغناطیسی و ویژگی های آن صحبت می کنیم و مثال های مختلفی برای حالت های متفاوت میدان مغناطیسی را بررسی می کنیم. روش معمول برای یافتن نیروی مغناطیسی بر حسب مقدار ثابت بار q q q که با سرعت ثابت v v v در یک
سلف چیست؟
زمانی که می خواهید جریانی از داخل سلف عبور دهید، یک میدان مغناطیسی اطراف آن ایجاد می شود که این میدان ذخیره کننده انرژی است. به نسبت تغییرات ولتاژ به جریان برای یک سلف اندوکتانس سلف گفته
اندوکتانس سیم پیچ — به زبان ساده (+ دانلود فیلم آموزش رایگان)
در این آموزش درباره محاسبه اندوکتانس سیم پیچ یا سلف بحث خواهیم کرد. از مفاهیم الکترومغناطیس می‌دانیم که با تغییر میدان مغناطیسی یک سیم‌پیچ، «نیرو محرکه الکتریکی» (Electromotive Force) یا EMF درون آن
انرژی مغناطیسی
در این فیلم آموزشی رابطه انرژی مغناطیسی بر حسب سلف و سپس بر حسب کمیات میدان محاسبه و استخراج می شود.
محاسبات اندوکتانس ساختار پیشرفته کویل سیستمابررسانای ذخیره ساز انرژی مغناطیسی
از ترسیم سطوح همتراز چگالی شار مغناطیسی و اندوکتانس مشاهده می شودکه روابط اندوکتانس کویل تروئیدی مارپیچی مبنای طراحی بهینه کویل با توابع هدف گوناگون از قبیل ماکزیمم نمودن نسبت انرژی مغناطیسی ذخیره شده به حجم تروئید
اندوکتانس و روابط مربوط به سیم‌پیچ‌ها
خودالقایی(اندوکتانس) و روابط مربوط به سیم پیچ ها این ویژگی القاگرها که بواسطه ی تغییرات جریان، دارای ولتاژی القایی می شوند، اندوکتانس گفته می شود. در واقع که در آن؛ E همان EMF یا ولتاژ القایی است،
مقاله بررسی توزیع چگالی شار و محاسبه انرژی مغناطیسی ذخیره شده در راکتور شنت با
دانلود و دریافت مقاله بررسی توزیع چگالی شار و محاسبه انرژی مغناطیسی ذخیره شده در نمونه مورد نظر، ضمن به دست آوردن توزیع چگالی شار، انرژی مغناطیسی ذخیره شده و اندوکتانس خودی هر فاز
مدار RLC سری
مدارهای سری RLC، جزو مدارهای مرتبه دوم کلاس بندی می شوند؛ زیرا دارای دو عنصر ذخیره کننده انرژی ، اندوکتانس (L) و ظرفیت خازنی (C) می باشند.
سلف یا القاگر چیست؟ بررسی انواع، نماد، کاربرد و فرمول
سلف یا القاگر یک قطعه الکتریکی پسیو شبیه به سیم پیچ است که انرژی الکتریکی را به صورت میدان مغناطیسی ذخیره می کند. در این فرمول µ نفوذپذیری مغناطیسی سلف، K ضریب ناگائوکا، N تعداد دورهای سیم پیچ، S سطح مقطع سیم پیچ و I طول
اندوکتانس و محاسبه عملی آن — به زبان ساده
واحد اندازهگیری اندوکتانس، وبر بر آمپر ( 1H=1Wb/A 1H = 1Wb/A) بوده که به افتخار «جوزف هانری» (Joseph Henry)، هانری ( H H) نامگذاری شده است. لازم به
محاسبه اندوکتانس سلف یک لایه | زی ابزار
برای محاسبه اندوکتانس سلف یک لایه، ابتدا باید تعداد لفظ این سلف را بدانیم. سپس با استفاده از روش محاسبه اندوکتانس سلف، مقدار این پارامتر را محاسبه می کنیم.
ظرفیت سلف الکتریکی | محاسبه ظرفیت سلف یا القاگر | برقی شو
اندوکتانس در واقع مشخصه ی اصلی یک سلف است که با نماد (L) نمایش داده می شود و قدرت یک سلف را با توجه به میزان انرژی مغناطیسی قابل ذخیره سازی آن تعیین می کند. اندوکتانس به صورت نسبت مقدار شار مغناطیسی (Φ - فی) به جریان (I) عبوری از سلف
ضریب خودالقایی
القاوری، یا اَندوکتانس (به انگلیسی: Inductance) یا القاییدگی ویژگی یک مدار الکتریکی است که بر اساس قانون لنز، متناسب با تغییر جریان الکتریکی برحسب زمان، نیروی محرّکه الکتریکی درست می‌کند که در تقابل با تغییر جریان مدار است. v یا εL، ولتاژ القا شده‌است.
نیروی مغناطیسی وارد بر سیم حامل جریان
قانون نیروی لورنتس رابطه نیروی مغناطیسی وارد بر سیم حامل جریان را محاسبه می کنیم. انرژی مغناطیسی مثال 1 ویدئوهای مرتبط گروه بندی چهارتایی اگزرژی: پتانسیل کار انرژی
اندوکتانس متقابل مثال 1
اندوکتانس خودی یک حلقه یا مدار ، به شکل هندسی و ترتیب فیزیکی هادی تشکیل دهنده یک خازن که می تواند انرژی الکتریکی را ذخیره نماید ، سلف می تواند انرژی مغناطیسی را در خود حفظ کند و این
سلف یا القاگر چیست؟ — به زبان ساده (+ دانلود فیلم آموزش رایگان)
به طور مشابه، اگر جریان گذرنده از سلف کاهشی باشد (d i / d t < 0 d i / dt <0 d i / d t < 0)، توان باید کوچکتر از صفر بوده و در این صورت، انرژی سلف به مدار بر می گردد.با استفاده از معادله توان بالا، انرژی مغناطیسی که مثبت است و در سلف ذخیره
اندوکتانس متقابل
اندوکتانس متقابل برهمکنش میدان مغناطیسی یک سیم پیچ بر روی سیم پیچ دیگر است زیرا باعث القای ولتاژ در سیم پیچ مجاور می شود. به همین ترتیب، سیم پیچ اتصال شار یک L 1 هنگامی که جریانی در اطراف سیم پیچ دو L 2 جریان دارد، دقیقا
مقاله محاسبه، اندازهگیری اندوکتانس و تحلیل چگالی شار مغناطیسی کویل ذخیره ساز
مقاله محاسبه، اندازهگیری اندوکتانس و تحلیل چگالی شار مغناطیسی کویل ذخیره ساز انرژی مغناطیسی با رویکرد اجزاء محدود دارای 16 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ
سلف
این توانایی سلف برای مقاومت در برابر تغییرات جریان که همچنین جریان i را با پیوند شار مغناطیسی آن NΦ مربوط می کند، به عنوان یک ثابت تناسب یعنی اندوکتانس نامیده می شود که نماد L با واحد ه نری (H
دانلود ترجمه مقاله محاسبه ماتریس اندوکتانس سیم پیچ های ترانسفورماتور (آی تریپل
دانلود ترجمه مقاله محاسبه ماتریس اندوکتانس سیم پیچ های ترانسفورماتور (آی تریپل ای ۲۰۱۲) (ترجمه ویژه – طلایی ) این مقاله انگلیسی ISI در نشریه آی تریپل ای در ۸ صفحه در سال ۲۰۱۲ منتشر شده و ترجمه آن ۲۲ صفحه میباشد.
میدان مغناطیسی جریان — از صفر تا صد – فرادرس
شکل ۱ جریان موجود در دیفرانسیل ds برابر با I d s → Ioverrightarrow{ds} I d s است. مطابق با شکل ۱ فرض کنید می خواهیم میدان مغناطیسی ناشی از سیم مفروض را در نقطه P بدست آوریم. از این رو در ابتدا بردار r → overrightarrow{r} r را در نظر بگیرید که
محاسبات اندوکتانس ساختار پیشرفته کویل سیستمابررسانای ذخیره ساز انرژی مغناطیسی
محاسبات اندوکتانس ساختار پیشرفته کویل سیستمابررسانای ذخیره ساز انرژی مغناطیسی. محل انتشار: بیست و سومین کنفرانس بین المللی برق. سال انتشار: 1387. نوع سند: مقاله کنفرانسی. زبان: فارسی. مشاهده: 1,082. فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF
راکتانس خازنی
خازن ها، انرژی را بر روی صفحات رسانای خود به صورت بارالکتریکی ذخیره می کنند. پس، رابطه ی فاز بین جریان و ولتاژ در یک مدار خازنی AC، دقیقا معکوس اندوکتانس AC است.
راکتانس القایی
میزان مقاومت جریان عبوری از یک سلف AC را، راکتانس القایی (Inductive Reactance) می‌نامند که به‌صورت خطی به فرکانس منبع تغذیه وابسته است.
انواع مختلف سلف الکترونیکی و کاربردهای آنها
سلف ها اغلب به عنوان "مقاومت AC" شناخته می شوند. ویژگی اصلی یک سلف توانایی آن در مقاومت در برابر تغییرات جریان و ذخیره انرژی به شکل میدان مغناطیسی است.
مدار RLC سری
مدارهای سری RLC، جزو مدارهای مرتبه دوم کلاس‌بندی می‌شوند؛ زیرا دارای دو عنصر ذخیره‌کننده انرژی ، اندوکتانس (L) و ظرفیت‌خازنی (C) می‌باشند. مدار RLC زیر را در نظر بگیرید.
القاگرها و محاسبه ضریب القاوری و انرژی ذخیره شده در سیملوله آرمانی
بخشی از این انرژی در مقاومت الکتریکی سیم های القاگر به صورت گرما تلف و بقیه آن در میدان مغناطیسی القاگر ذخیره می شود. مقدار انرژی ذخیره شده در میدان القاگر با ضریب القاوری L ، از رابطه زیر بدست
محاسبه، اندازهگیری اندوکتانس و تحلیل چگالی شار مغناطیسی کویل ذخیره ساز انرژی
در این مقاله روابط محاسباتی اندوکتانس خودی ومتقابل کویل تروئیدی گسسته 1 که در ذخیره سازهای ابررسانای انرژی مغناطیسی کاربرد دارند تدوین میگردد. شایان ذکر است کویل تروئیدی گسسته از چندین کویلسلونوئیدی سری شده که بصورت متقارن و
روش های محاسبه تعداد دورهای سلف حلقوی مغناطیسی چیست؟
سلف حلقویتعداد دورها یکی از پارامترهای مهم سلف است، روش محاسبه تعداد دور سلف حلقه مغناطیسی به شرح زیر است: 1. روش فرمول ریاضی: چرخش N= (طول حلقه مغناطیسی πd به اضافه 2L)/(قطر خط d×π) جایی که D قطر خارجی حلقه مغناطیسی، L ارتفاع
اندوکتانس: فرمول. اندازه گیری اندوکتانس. حلقه اندوکتانس
اندوکتانس در خدمت به توصیف خواص مغناطیسی مدار الکتریکی. آن را به عنوان ضریب تناسب بین جریان و جریان جریان الکتریکی در یک مدار مغناطیسی بسته تعریف شده است. این جریان از طریق سطح حلقه تولید می
سلف یا القاگر چیست؟ آشنایی با بیش از 3 نوع سلف و کاربرد آنها
چند نمونه از سلف یا القاگر سرامیکی این سلف ها را سلف های سطحی یا SMD می نامند. همانطور که از نام آنها پیداست، یک سلف SMD چندین حلقه سیم که به دور هسته مرکزی پیچیده شده اند دارد.
محاسبه اندوکتانس سلف یک لایه | حسابگر
محاسبه اندوکتانس سلف یک لایه ابزارهای مهندسی ۳ نظر 10,213 بازدید دنیای اطلاعات راست را پیچیده و به شکل فنر درآوریم ، با عبور جریان از آن ، میدان مغناطیسی اطراف حلقه های این سیم پیچ با هم
کو انرژی چیست؟ — از صفر تا صد – فرادرس
کو انرژی (Co-energy) دوگان انرژی است و یک کمیت فیزیکی نیست. از این کمیت در تحلیل سیستم‌هایی استفاده می‌شود که در آنها انرژی ذخیره و تبدیل می‌شود.
نحوه محاسبه هانری در یک کویل (سیم پیچ)
نحوه محاسبه هانری در چند فرمول خلاصه می شود. محاسبه سیم پیچ فلزیاب ، سلف - اندوکتانس - ظرفیت القای مغناطیسی ، فرمول اندوکتانس ، تعداد دور سیم پیچ لوپ اگر با مفاهیم الکترومغناطیس آشنایی کافی ندارید، محاسبه به صورت دقیق و
آشنایی با سلف ها — مجموعه مقالات مجله فرادرس – فرادرس
اندوکتانس، پارامتر اصلی مربوط به سلف ها است و در یک آموزش مجزا به آن پرداخته شده است. وقتی جریان متغیری از یک سلف عبور کند، در اطراف آن، شار مغناطیسی ایجاد می شود.
